Блог

Jan 31, 2024

Отчет о мировом рынке биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) за 2023 год

Основными игроками на рынке биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) являются Renesas.

Jan 26, 2024

Renesas представляет новинку

Новый энергетический продукт будет производиться на новом заводе Renesas 300mm Kofu

Jan 22, 2024

Обзор рынка модулей SiC MOSFET на 2023 год по развитию технологий, исследованиям, факторам роста, статистике, прогнозированию до 2030 года

Нью-Джерси, США. В отчете подробно рассматривается модуль SiC MOSFET.

Jan 19, 2024

Размер рынка драйверов и контроллеров MOSFET в 2023 году, рост, доля, отраслевые тенденции и прогноз до 2029 года

МИР рада представить наш новый отчет под названием «Драйверы MOSFET и

Jan 12, 2024

МОП-транзисторы и их преимущества перед другими транзисторами

Новый X100-FTA компании Testometric для использования в пищевой промышленности и промышленности по тестированию текстур.

Jan 10, 2024

GaN-транзисторы: путь к меньшим и более эффективным источникам питания

Транзисторы из нитрида галлия (GaN) совершают революцию в силовой электронике

Jan 08, 2024

Apple пополняет линейку ARM 5-нм транзисторами на 134 миллиарда...

Как предполагалось ранее, M2 Ultra использует межсоединение Apple UltraFusion и

Jan 05, 2024

Встречайте Forksheet: Imec на подходе

Самые передовые производители компьютерных процессоров находятся в середине

Jan 03, 2024

Инженеры MIT произвели революцию в технологии полупроводниковых чипов с помощью Atom

Адам Зеве, Массачусетский технологический институт, 1 мая 2023 г. Исследователи Массачусетского технологического институ

Jan 01, 2024

Моррис Таненбаум, изобретатель одного из первых кремниевых транзисторов, умер в возрасте 94 лет

Моррис Таненбаум, изобретатель транзисторов с двойной диффузией, научный сотрудник, 94 года; умер 26

Dec 29, 2023

Imec представляет сабвуфер

Чипы станут трехмерными, поскольку их размер будет меньше 1 нм. Imec, самый передовой в мире

Dec 27, 2023

COVID-19

Ожидается, что рынок биполярных (BJT) матричных транзисторов будет расти значительными темпами.