Новости

Jun 17, 2023

Объем мирового рынка высокоэлектронных подвижных транзисторов (HEMT) к 2032 году превысит 16,82 миллиарда долларов США

Объем мирового рынка высокоэлектронных мобильных транзисторов оценивается в 7,51 доллара США.

Согласно исследовательскому отчету, опубликованному Spherical Insights & Consulting, в 2022 году объем мирового рынка мобильных транзисторов с высоким содержанием электронов оценивается в 7,51 миллиарда долларов США, а к 2032 году ожидается, что мировой рынок мобильных транзисторов с высоким содержанием электронов достигнет 16,82 миллиарда долларов США. Охваченные компании: Ampleon, Mitsubishi Electric, Fujitsu, TOSHIBA, Infineon, Renesas Electronics, Cree, Qorvo, Microsemi, Wolfspeed, Lake Shore Cryotronics, ST Microelectronics, Texas Instruments, Oki Electric и другие.

Нью-Йорк, США, 1 июня 2023 г. (GLOBE NEWSWIRE) --Объем мирового рынка транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) вырастет с 7,51 млрд долларов США в 2022 году до 16,82 млрд долларов США к 2032 году при среднегодовом темпе роста (CAGR) 8,4% в течение прогнозируемого периода. Ожидается, что растущее внедрение силовых полупроводников для обеспечения высокой надежности и высокой эффективности в ряде отраслей, включая бытовую электронику, автомобилестроение, промышленность, аэрокосмическую и оборонную промышленность и других, увеличит спрос на рынок транзисторов с высокой подвижностью электронов в течение прогнозируемого периода.

Получите образец брошюры в формате PDF: https://www.sphericalinsights.com/request-sample/1964.

Транзистор с высокой подвижностью электронов, или HEMT, представляет собой тип полевого транзистора (FET) с чрезвычайно низким коэффициентом шума и высоким уровнем эффективности на микроволновых частотах. Арсенид алюминия-галлия (AlGaAs) и арсенид галлия (GaAs) были двумя наиболее часто используемыми материалами при изготовлении транзисторов с высокой подвижностью электронов. Транзисторы с высокой подвижностью электронов, которые могут работать на частотах миллиметровых волн, используются в высокочастотных устройствах, таких как мобильные телефоны, приемники спутникового телевидения, устройства преобразования энергии и системы радиолокационного обнаружения. Растущий потребительский спрос на бытовую электронику, а также растущий спрос на экономически эффективные системы питания являются одними из основных тенденций, способствующих росту рынка транзисторов с высокой подвижностью электронов. Транзисторы с высокой подвижностью электронов производятся подавляющим большинством производителей полупроводниковых приборов во всем мире. Это могут быть дискретные транзисторы, но в наши дни их чаще всего можно увидеть в интегральных схемах. Кроме того, важными факторами, ведущими к росту мирового рынка транзисторов с высокой подвижностью электронов, являются более высокие расходы на устройства HEMT, рост и развитие, а также технологические достижения в секторе транзисторов с высокой подвижностью электронов.

Просмотрите ключевые отраслевые данные, представленные на 200 страницах, со 120 таблицами, рисунками и диаграммами рыночных данных из отчета оРазмер мирового рынка транзисторов с высокой электронной подвижностью (HEMT), доля и анализ воздействия COVID-19 по типам (нитрид галлия (GaN), карбид кремния (SiC), арсенид галлия (GaAs), другие), по конечным пользователям ( Бытовая электроника, автомобильная, промышленная, аэрокосмическая и оборонная промышленность, другие) и по регионам (Северная Америка, Европа, Азиатско-Тихоокеанский регион, Латинская Америка, Ближний Восток и Африка), анализ и прогноз на 2022–2032 годы».Подробное описание отчета можно получить здесь:

Купить сейчас Полный отчет: https://www.sphericalinsights.com/checkout/1964

Сегмент нитрида галлия (GaN) доминирует на рынке с наибольшей долей выручки в течение прогнозируемого периода.

В зависимости от типа мировой рынок транзисторов с высокой подвижностью электронов подразделяется на нитрид галлия (GaN), карбид кремния (SiC), арсенид галлия (GaAs) и другие. Среди них сегмент нитрида галлия (GaN) доминирует на рынке с наибольшей долей выручки в 48,6% за прогнозируемый период. В отличие от традиционных технологий, таких как кремний (SI) или арсенид галлия (GaAs), наиболее интригующие сегодня HEMT-устройства основаны на нитриде галлия (GaN), материале, который обеспечивает высокое качество, высокую плотность мощности и большую ширину передачи.

На сегмент бытовой электроники пришлась наибольшая доля выручки — более 36,2% за прогнозируемый период.