Новости

Jan 16, 2024

Положительный прогноз рынка чипов MOSFET из карбида кремния, возможности и расширение отрасли к 2029 году

«Рыночные данные, которые добавят изюминку вашему успеху» The Global Silicon

«Рыночные данные, которые добавят изюминку вашему успеху»

Размер, объем и прогноз мирового рынка чипов MOSFET из карбида кремния на 2023-2029 гг. Отчет был добавлен в коллекцию рыночных исследований. Отраслевые эксперты и исследователи предложили авторитетный и краткий анализ рынка микросхем MOSFET из карбида кремния с точки зрения различных аспектов, таких как факторы роста, проблемы, ограничения, разработки и возможности для роста. В этом отчете представлен подробный анализ меняющейся динамики и новых тенденций на рынке чипов MOSFET из карбида кремния. Кроме того, он дает футуристический взгляд на различные факторы, которые могут способствовать росту мирового рынка чипов MOSFET из карбида кремния в ближайшие годы.

Согласно нашему последнему анализу, размер рынка будет расти устойчивыми среднегодовыми темпами +25,1% в период 2023-2029 годов. Спрос на чипы MOSFET из карбида кремния обусловлен растущим спросом на более эффективную и надежную силовую электронику в различных отраслях, включая электромобили, возобновляемые источники энергии и промышленную автоматизацию. Эти микросхемы могут обеспечить более высокую мощность и более высокую скорость переключения, чем традиционные кремниевые МОП-транзисторы, что приводит к повышению энергоэффективности и снижению потерь мощности.

Загрузить полный PDF-файл с образцом отчета о микросхемах MOSFET из карбида кремния @

https://www.marketintelligencedata.com/reports/8400869/global-silicon-carbide-mosfet-chips-market-growth-2023-2029/inquiry?Mode=D211

Некоторые из ключевых игроков, представленных в исследовании:Infineon, Wolfspeed, ROHM, Onsemi, Bosch, STMicroelectronics, Mitsubishi Electric, Microchip Technology, Littelfuse, GeneSiC Semiconductor, Shenzhen BASiC Semiconductor идругие выдающиеся игроки.

Infineon запускает линейку CoolGaN™ 600 В GIT HEMT, обеспечивающую исключительную производительность и качество в полном объеме

Мюнхен, Германия – 5 мая 2023 г. – Компания Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) успешно интегрировала технологию транзисторов с гибридным инжектором и встроенным затвором CoolGaN™ 600 В (HD-GIT) в собственное производство. Сейчас компания выпускает на более широкий рынок полный портфель своих высококачественных устройств GaN. Благодаря преимуществам полностью принадлежащей и контролируемой цепочки поставок Infineon, расширенный портфель GaN включает в себя широкий спектр дискретных и полностью интегрированных GaN-устройств, срок службы которых значительно превышает требования JEDEC. Новые устройства CoolGaN оптимизированы для различных применений: от промышленных источников питания для серверов, телекоммуникаций и солнечных батарей до потребительских приложений, таких как зарядные устройства и адаптеры, приводы двигателей, телевизоры/мониторы и системы светодиодного освещения.

Конкуренция является важным вопросом в любом анализе исследования рынка. . С помощью конкурентного анализа, представленного в отчете, игроки могут легко изучить ключевые стратегии, используемые ведущими игроками на рынке чипов MOSFET из карбида кремния. Основные и новые игроки рынка чипов MOSFET из карбида кремния внимательно изучаются с учетом ихдоля рынка, производство, продажи, рост выручки, валовая прибыль, портфель продуктов и другие важные факторы. . Это поможет игрокам ознакомиться с действиями своих самых сильных конкурентов на рынке чипов MOSFET из карбида кремния.

Раздел сегментного анализа отчета включает тщательное исследование ключевых типов и сегментов рынка чипов MOSFET из карбида кремния.

Рынок чипов MOSFET из карбида кремния (По типу) ?1000В

Рынок чипов MOSFET из карбида кремния 1000 В (По применению) Автомобиль

Фотоэлектрический

ДругойПолучите специальную цену со скидкой до 30 % при первой покупке этого отчета @: