Language
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT G25t120d bis-247

Продукты

ДомДом / Продукты / Транзисторы / Подробности
search
КАТЕГОРИИ
Транзисторы
ПРОДУКТ
Керамикконденсатор Х2 184/630В Р15 6ум

Керамикконденсатор Х2 184/630В Р15 6ум
Высоковольтный, высокодобротный, малоиндуктивный керамический многослойный конденсатор с фиксированным значением микросхемы Mlcc, 15 кВ, 222, 2,2 НФ, 0,0022 мкФ для автомобильного/промышленного/бытового применения

Высоковольтный, высокодобротный, малоиндуктивный керамический многослойный конденсатор с фиксированным значением микросхемы Mlcc, 15 кВ, 222, 2,2 НФ, 0,0022 мкФ для автомобильного/промышленного/бытового применения
36 В LiFePO4 BMS 12 s 15A-60A 18650 аккумулятор BMS пакеты защита печатной платы баланс интегральные схемы

36 В LiFePO4 BMS 12 s 15A-60A 18650 аккумулятор BMS пакеты защита печатной платы баланс интегральные схемы
Многослойные керамические конденсаторы 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%

Многослойные керамические конденсаторы 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%
Многослойные керамические конденсаторы 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%

Многослойные керамические конденсаторы 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%
Отправьте запрос
ПРЕДСТАВЛЯТЬ НА РАССМОТРЕНИЕ
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT G25t120d bis-247

Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT G25t120d bis-247

Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT G25t120d bis-247

Отправьте запрос

ОПИСАНИЕ

Базовая информация
Модель №.G25T120D
Серийный номер2021 год
Маркебхдх
Транспортный пакетРор
товарный знакШХДХ
ИсточникУси, Китай
HS-код8541290000
Описание продукта

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

ПАРАМЕТРСИМВОЛОЦЕНКАЕДИНИЦА
Напряжение коллектор-эмиттерВКЕС1200В
Напряжение затвор-эмиттерВГЭС±20В
KollektorstromяС(Т=25°С)50А
Kollektorstrom(Тс=100°С)25А
Импульсный ток коллектораяСМ75А
Диодный непрерывный прямой токяФ@TC = 100 °С25А
Максимальный прямой ток диодаяФМ75А
Общая потеря мощностиТС=25°СпД278Вт
ТС=100°СпД111Вт
Точечная температураТДж150С
Температура храненияТстг-55~150С
характеристики
Технология FS Trench, положительный температурный коэффициент
Низкое напряжение насыщения: ВCE (Дорф), тип = 2,0 В
@ яС=25А и ТС= 100°С
Чрезвычайно улучшенная лавинная способность
Приложения
кондиционер
сварка
UPS
Характеристики продукции и модели упаковки
Модель продуктаТип упаковкиВыделите имяРоХСУпаковкаТолпа
G25T120DТО-247G25T120DБлейфрейРор300/коробка

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247


Сопутствующие товары