Русский
English
Français
Deutsch
Español
Italiano
Português
日本語
한국어
Дом
Neuer Original-IC-Chip Pwr Drvr N-Chan 1:1 Pwrsso24 Gate-Treiber Vnq5050ktr-E
Новая оригинальная микросхема PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO24 Распределение мощности VNQ5050KTR-E Характеристики продукта П
Отправьте запросОПИСАНИЕ
Базовая информация
| Модель №. | VNQ5050KTR-E |
| Транспортный пакет | Стандартный пакет |
| Спецификация | 0,016692 унции |
| товарный знак | СТМикроэлектроника |
| Источник | Оригинал |
| HS-код | 8542900000 |
| Производственная мощность | 100000 штук/день |
Описание продукта
Новый оригинальный микросхема PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO24, распределение мощности VNQ5050KTR-E
| Модель №. | VNQ5050KTR-E |
| Марке | СТМикроэлектроника |
| Категория продукта | Водитель ворот |
| ОКРУГ КОЛУМБИЯ | Последний |
| Источник | Оригинал |
| Состояние | Новый и оригинальный |
| Описание | Микроконтроллер |
| Спецификация | Стандартный |
| Упаковка | Лоток, рулон, пенопласт, коробка |
| Время выполнения | 1-5 рабочих дней |
| Условия платежа | TT/Paypal/Western Union/Escrow |
| Способ доставки | DHL\UPS\Fedex\EMS\TNT |
Особенности продукта
| Категория продукта | Водитель ворот | Серия | VNQ5050K-E |
| Пакет/Чемодан | - | Монтажарт | СМД/СМТ |
| Введите | Высокая сторона | количество выходов | 4 выход |
| Выходной ток | 2 А | Текущее ограничение | - |
| По сопротивлению – макс. | - | Рабочее напряжение питания | 13 В |
| В срок – макс. | - | Время выключения – макс. | - |
| Напряжение питания – мин. | 4,5 В | Напряжение питания – макс. | 36 В |
| Минимальная рабочая температура | - 40 °С | Максимальная рабочая температура | + 150 °С |
| Чувствителен к влаге | И | Продукт | - |
| Тип продукта | Водитель ворот | Подкатегория | Переключите микросхему |
Профиль компании
Ведущие дистрибьюторы электронных компонентов
Профессиональная команда продаж
Профессиональная продуктовая команда
Сертификаты
Кооперативные бренды
Упаковка и доставка
ВОПРОСЫ
Сопутствующие товары
-
![IGBT Trench 600 В, 8 А, 75 Вт, для поверхностного монтажа Pg-To252-3-11 Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторы - Igbts - одиночные Ikd04n60r]()
IGBT Trench 600 В, 8 А, 75 Вт, для поверхностного монтажа Pg-To252-3-11 Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторы - Igbts - одиночные Ikd04n60r
-
![Новый оригинальный драйвер микросхемы IC Pwr N-Chan Sot223 Gate Driver Vnl5090n3tr-E]()
Новый оригинальный драйвер микросхемы IC Pwr N-Chan Sot223 Gate Driver Vnl5090n3tr-E
-
![Канальный МОП-транзистор с суперпереходом 600 ВН Возможности Применения N-Ch SJ MOS (S3) Применение стабилитрона ESD SMPS, ИБП, PFC, ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ, SemiHow-HCS60R290S]()
Канальный МОП-транзистор с суперпереходом 600 ВН Возможности Применения N-Ch SJ MOS (S3) Применение стабилитрона ESD SMPS, ИБП, PFC, ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ, SemiHow-HCS60R290S
-
![Рабочий конденсатор двигателя переменного тока Cbb60 с UL. ТЮВ. ККК. В списке VDE 50/60 Гц]()
Рабочий конденсатор двигателя переменного тока Cbb60 с UL. ТЮВ. ККК. В списке VDE 50/60 Гц
