Language
100 А, 30 В, N-канальный режим повышения мощности, МОП-транзистор 30х10К до -252В

Продукты

ДомДом / Продукты / МОТ-транзистор / Подробности
search
КАТЕГОРИИ
МОТ-транзистор
ПРОДУКТ
Керамикконденсатор Х2 184/630В Р15 6ум

Керамикконденсатор Х2 184/630В Р15 6ум
Высоковольтный, высокодобротный, малоиндуктивный керамический многослойный конденсатор с фиксированным значением микросхемы Mlcc, 15 кВ, 222, 2,2 НФ, 0,0022 мкФ для автомобильного/промышленного/бытового применения

Высоковольтный, высокодобротный, малоиндуктивный керамический многослойный конденсатор с фиксированным значением микросхемы Mlcc, 15 кВ, 222, 2,2 НФ, 0,0022 мкФ для автомобильного/промышленного/бытового применения
36 В LiFePO4 BMS 12 s 15A-60A 18650 аккумулятор BMS пакеты защита печатной платы баланс интегральные схемы

36 В LiFePO4 BMS 12 s 15A-60A 18650 аккумулятор BMS пакеты защита печатной платы баланс интегральные схемы
Многослойные керамические конденсаторы 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%

Многослойные керамические конденсаторы 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%
Многослойные керамические конденсаторы 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%

Многослойные керамические конденсаторы 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%
Отправьте запрос
ПРЕДСТАВЛЯТЬ НА РАССМОТРЕНИЕ
100 А, 30 В, N-канальный режим повышения мощности, МОП-транзистор 30х10К до -252В

100 А, 30 В, N-канальный режим повышения мощности, МОП-транзистор 30х10К до -252В

100 А, 30 В, режим расширения N-канала, силовой МОП-транзистор 1 Описание Эти N-канальные VDMOSFET транзисторы расширени

Отправьте запрос

ОПИСАНИЕ

Базовая информация
Модель №.30Х10К
Серийный номер2021 год
Маркебхдх
Транспортный пакетГруппа, Ролле
товарный знакШХДХ
ИсточникУси, Китай
HS-код8541290000
Описание продукта

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b


100 А, 30 В, режим расширения N-канала, силовой МОП-транзистор
1 описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFET используются
Передовая конструкция траншейной технологии, превосходно обеспеченная
РДСОН и низкий заряд ворот. Что с этим согласуется
RoHS-стандарт.
характеристики
Быстрое переключение
Низкое сопротивление открытого состояния (Rdson ≤ 0,55 мОм)
Низкий заряд затвора (Тип: 43 нКл)
Низкая емкость обратной передачи (Тип: 215 пФ)
100% испытание лавинной энергии одним импульсом
100 % ВДСПроверять
Приложения
Приложения для переключения мощности
Система управления инвертором
Электрические инструменты
Автомобильная электроника
ПАРАМЕТРСИМВОЛВЕРТЕДИНИЦА
30Х10/30Х10И/30Х10Е/30Х10К/30Х10Б30Ч10Ф
Максимальное постоянное напряжение источника DrianВДС30В
Максимальное напряжение затвор-стокВGS±20В
Выходной поток (непрерывный)яД(Т=25°С)100А
(Т=100°С)70А
Выходной поток (импульсный)яДМ280А
Одноимпульсная лавинная энергияЭЕСЛИ200мДж
Общая потеря мощностиТа=25°СПт22Вт
Температура = 25 °СПт6024Вт
Точечная температураТДж-55~150С
Температура храненияТстг-55~150С
Характеристики продукции и модели упаковки
Модель продуктаТип упаковкиВыделите имяРоХСУпаковкаТолпа
30Ч10ТО-220С30Ч10БлейфрейРор1000/коробка
30Ч10ФТО-220Ф30Ч10ФБлейфрей

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b


Сопутствующие товары